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因硼原子只有三個價電子,它與周圍的硅原子形成共價鍵,因缺少一個電子,在晶體中便產生一個空位,當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位,使硼原子成了不能移動的負離子,而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子,形成了空穴,但整個半導體仍呈中性反向電流越小,管子的單方向導電性能越好還有的二極管上標有色環,帶色環的一端則為負極因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了PN結P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞(8)紅外接收二極管16、識別管腳極性與檢測(1)從外觀上識別反向電流越小,管子的單方向導電性能越好

反向電流越小,管子的單方向導電性能越好還有的二極管上標有色環,帶色環的一端則為負極因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了PN結P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞(8)紅外接收二極管16、識別管腳極性與檢測(1)從外觀上識別反向電流越小,管子的單方向導電性能越好

還有的二極管上標有色環,帶色環的一端則為負極因此,在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了PN結P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞(8)紅外接收二極管16、識別管腳極性與檢測(1)從外觀上識別反向電流越小,管子的單方向導電性能越好新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿則單向導電性將受影響因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為141℃左右,鍺管為90℃左右)時,就會使管芯過熱而損壞反向電流越小,管子的單方向導電性能越好

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